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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY10003000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY10004000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY10005000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY10008000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY1000C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY1001D | HUAYI |
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此器件为70V、7.4mΩ、TO-252-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适 |
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| HY105PQ | VISHAY |
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CAPACITOR, CERAMIC, 12V, Y5R, 0.05uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
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| HY105VE | VISHAY |
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CAPACITOR, CERAMIC, 12V, Y5R, 0.05uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
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| HY10N65FT | HY |
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650V / 10A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY10P | HYCON |
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Quality Approval Sheet |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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