5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8536.41.00.20 |
| 风险等级： | 2.23 | 主体宽度： | 7.4 mm |
| 主体高度： | 10.1 mm | 主体长度或直径： | 12 mm |
| 最大线圈电流（直流）： | 0.03 A | 线圈工作电压（直流）： | 3.75 V |
| 线圈功率： | 150 mW | 线圈释放电压（直流）： | 0.5 V |
| 线圈电阻： | 166 Ω | 最大线圈电压（直流）： | 5 V |
| 标称线圈电压： | 5 V | 线圈/输入电源类型： | DC |
| 触点（交流）最大额定R负载： | 1A@30VDC | 最大触点电流（直流）： | 1 A |
| 触点（直流）最大额定功率R负载： | 30W@60VDC | 触点（直流）最大额定R负载： | 1A@30VDC |
| 触点电阻： | 100 m Ω | 最大触点电压（直流）： | 30 V |
| 触点/输出电源类型： | DC | 线圈与触点之间的介电强度： | 1000 Vrms |
| 断开触点之间的介电强度： | 500 Vrms | 电气寿命： | 100000 Cycle(s) |
| 末端触点材料： | Silver | 末端触点镀层： | GOLD |
| 输入切换控制类型： | Random | 绝缘电阻： | 100000000 Ω |
| 安装特点： | THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT | 端子数量： | 6 |
| 工作时间： | 5 ms | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | PCB 孔数： | 6 |
| 包装方法： | BOX; TUBE | 物理尺寸： | 12mm x 7.4mm x 10.1mm |
| 参考标准： | CSA; UL | 继电器动作： | MOMENTARY |
| 继电器样式： | 1 FORM C | 继电器功能： | SPDT |
| 继电器类型： | POWER/SIGNAL RELAY | 释放时间： | 4 ms |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Silver/Gold (Ag/Au) |
| 端子长度： | 0.0035 inch | 端接类型： | SOLDER |
| 重量： | 1.8 g | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HD1E-M-DC5V | PANASONIC |
功能相似  |
ldeal for portable devices Only 1.7g sealed construction |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY1603B | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1603D | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1603I | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1603P | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1603U | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1603V | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1605D | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1605U | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1605V | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| HY1606D | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
