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BZV55C180

更新时间: 2024-01-01 16:37:06
品牌 Logo 应用领域
虹扬 - HY 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 182K
描述
ZENER DIODE

BZV55C180 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:180 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6.41%
工作测试电流:1 mABase Number Matches:1

BZV55C180 数据手册

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BZV55C SERIES  
REVERSE VOLTAGE - 2.4 to 188 Volts  
DL - 35  
ZENER DIODE  
FEATURES  
Small surface mounting type  
High reliability  
APPLICATIONS  
Voltage stabilization  
.063(1.6)  
.055(1.4)  
.020(0.5)  
.012(0.3)  
.020(0.5)  
.012(0.3)  
.146(3.7)  
.130(3.3)  
CONSTRUCTION  
Silicon epitaxial planar  
Dimensions in inches and (millimeters)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TJ=25  
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Pv  
Value  
500  
Unit  
Mw  
MA  
Power dissipation  
Z-current  
I=4mm TL25℃  
Iz  
Pv/Vz  
Junction temperature  
Storage temperature range  
175℃  
Tstg  
-55 ~ +200  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE  
TJ=25℃  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
RthJA  
Value  
350  
Unit  
K/W  
Junction ambient  
I=4mm TL=constant  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TJ=25℃  
Parameter  
Test Conditions  
IF=200mA  
Type  
Symbol  
VF  
Min  
Typ  
Max  
1.5  
Unit  
V
Forward voltage  
~ 403 ~  

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