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BZV55C18

更新时间： 2024-01-17 07:26:54

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虹扬 - HY		稳压二极管测试
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4页	182K
描述
ZENER DIODE

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BZV55C18 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	膝阻抗最大值：	170 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	18 V	最大反向电流：	0.1 µA
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
电压温度Coeff-Max：	19.8 mV/ °C	工作测试电流：	5 mA

BZV55C18 数据手册

BZV55C SERIES

REVERSE VOLTAGE - 2.4 to 188 Volts

DL - 35

ZENER DIODE

FEATURES

● Small surface mounting type

● High reliability

APPLICATIONS

● Voltage stabilization

.063(1.6)

.055(1.4)

.020(0.5)

.012(0.3)

.020(0.5)

.012(0.3)

.146(3.7)

.130(3.3)

CONSTRUCTION

● Silicon epitaxial planar

Dimensions in inches and (millimeters)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

500

Unit

℃

Power dissipation

Z-current

I=4mm TL≤25℃

Pv/Vz

Junction temperature

Storage temperature range

175℃

Tstg

-55 ~ +200

℃

MAXIMUM THERMAL RESISTANCE

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Symbol

RthJA

Value

350

Unit

K/W

Junction ambient

I=4mm TL=constant

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

IF=200mA

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.5

Unit

Forward voltage

~ 403 ~

12 3 4

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