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HX50M

更新时间: 2024-11-27 03:43:15
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EDI 二极管高压
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS ULTRA-MINIATURE AND MINIATURE

HX50M 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.7
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):10 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:3 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.04 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:5000 V最大反向恢复时间:0.1 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

HX50M 数据手册

 浏览型号HX50M的Datasheet PDF文件第2页 
HV HX  
HIGH VOLTAGE RECTIFIERS  
ULTRA-MINIATURE  
AND MINIATURE  
SMALL SIZE EPOXY PACKAGES  
FAST AND STANDARD RECOVERY TIMES  
PRV TO 10,000 VOLTS  
VERY LOW REVERSE LEAKAGE  
Max.Fwd  
Voltage  
@ 10mA &  
25oC  
Max. Peak  
Surge Cureent,  
IFSM  
Avg.Forward  
Peak  
Reverse Voltage  
EDI  
Type No.  
Current  
Package  
Style  
IO (mA) 100oC  
PRV (Volts)  
(8.3ms) (Amps)  
ULTRA-MINIATURE, STANDARD RECOVERY  
HV 15 PD  
HV 20 PD  
HV 25 PD  
HV 30 PD  
HV 10 P  
HV 20 P  
HV 30 P  
HV 40 P  
HV 50 P  
1,500  
80  
6.0  
5
P
P
2,000  
2,500  
3,000  
1,000  
2,000  
3,000  
4,000  
5,000  
50  
6.0  
5
ULTRA-MINIA TURE, 100 NANOSECOND RECOVERY (FIG.4)  
HX 15 PD  
HX 20 PD  
HX 25 PD  
HX 30 PD  
HX 10 P  
HX 20 P  
HX 30 P  
HX 40 P  
HX 50 P  
1,500  
60  
6.0  
3
P
P
2,000  
2,500  
3,000  
1,000  
2,000  
3,000  
4,000  
5,000  
40  
10.0  
3
MINIATURE, 100 NANOSECOND RECOVERY (FIG.4)  
HX 10 M  
HX 20 M  
HX 30 M  
HX 40 M  
HX 50 M  
HX 60 ML  
HX 80 ML  
HX 100 ML  
1,000  
2,000  
40  
20  
10.0  
20.0  
3
3
M
M
3,000  
4,000  
5,000  
6,000  
8,000  
10,000  
EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.  

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