是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 1.21 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | MEETS IEE 802.3 | 应用: | 1000 BASE-T |
认证: | UL | 高度: | 8.33 mm |
标称输入电压: | 57 V | 插入损耗: | 1.2 dB |
绝缘电压: | 1500 V | 长度: | 27.94 mm |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 4 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
包装方法: | TUBE | 物理尺寸: | L27.94XB7.54XH8.33 (mm) |
初级电感: | 350 µH | 子类别: | Other Transformers |
表面贴装: | YES | 变压器类型: | DATACOM TRANSFORMER |
匝数比 (Np:Ns): | 1:1 | 宽度: | 7.54 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HX503 | DIODES |
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2.5V/3.3V, 5.0x3.2mm, High Temperature LVDS Crystal Oscillator | |
HX5062NL | PULSE |
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PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 350UH | |
HX5062NLT | PULSE |
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PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 350UH | |
HX50M | EDI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIERS ULTRA-MINIATURE AND MINIATURE | |
HX50N6 | SIPOWER |
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N-Channel MOSFET | |
HX50N6L-TA3-T | SIPOWER |
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N-Channel MOSFET | |
HX50N6-TA3-T | SIPOWER |
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N-Channel MOSFET | |
HX50P | EDI |
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HIGH VOLTAGE RECTIFIERS ULTRA-MINIATURE AND MINIATURE | |
HX50-P | LEM |
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Current Transducer HX 03~50-P | |
HX50-P/SP2 | LEM |
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Current Transducer HX 03~50-P/SP2 |