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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.12 | 应用： | ATTENUATOR |
| 最小击穿电压： | 60 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容： | 2.4 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 最大二极管正向电阻： | 5.5 Ω | 二极管类型： | PIN DIODE |
| 频带： | HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HVM187STR | RENESAS |
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60V, SILICON, PIN DIODE |
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| HVM187STR-E | RENESAS |
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60V, SILICON, PIN DIODE |
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| HVM187WK | RENESAS |
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Silicon Epitaxial Planar PIN Diode for High Frequency Attenuator |
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| HVM187WK | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar PIN Diode for High Frequency Attenuator |
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| HVM187WKTL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HVM187WKTL | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HVM187WKTR | HITACHI |
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Pin Diode, 60V V(BR), Silicon |
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| HVM189S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Pin Diode for High Frequency Attenuator |
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| HVM189STL-E | RENESAS |
获取价格 |
HVM189STL-E |
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| HVM189STR-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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