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HVM16

更新时间: 2024-01-26 14:04:37
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鲁光 - LGE 二极管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
3页 399K
描述
General Purpose High Voltage Diodes

HVM16 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.17
Is Samacsys:N最小击穿电压:14 V
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最小二极管电容比:1.65
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HVM16 数据手册

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HVM8 thru HVM16  
General Purpose High Voltage Diodes  
Voltage Range 816KV  
Average Forward Current 350mA  
产品级别  
Product Grade  
级别:民用级,工业级  
Grade: CivilianIndustry  
技术资料  
Mechanical Data  
封装形式:塑封  
引线:轴向引线  
极性:色环指示负极  
高温焊接保证:260±5℃≯10 秒,  
焊接部位距管体 10mm 以上,引线拉力 2.3 千克  
Case: Molded plastic  
Lead: Axial leads  
Polarity: Color band denotes cathode end  
High temperature soldering guaranteed: 260±5℃≯10 seconds10mm lead Length, 2.3kg tension  
产品标准  
Product Standard  
GB/T 4589.1-2006  
《半导体器件 第 10部分:分立器件和集成电路总规范》  
Semiconductor Devices Part 10:  
Generic Specification for Discrete Devices and Integrated Circuits  
验收标准  
Inspection Standard  
GB/T 4023-1997  
《半导体器件分立器件和集成电路 第 2部分:整流二极管》  
Semiconductor Devices Discrete Devices and Integrated Circuits Part 2: Rectifier Diodes  
http://www.luguang.cn  
Email:lge@luguang.cn  

与HVM16相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HVM16-03TL-E RENESAS

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45.55pF, 14V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ROHS COMPLIANT, SC-59A, MPAK-3
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Rectifier Diode,
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暂无描述
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