5秒后页面跳转
HVM16-03TL-E PDF预览

HVM16-03TL-E

更新时间: 2024-01-30 15:05:23
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 152K
描述
45.55pF, 14V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ROHS COMPLIANT, SC-59A, MPAK-3

HVM16-03TL-E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-59A
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
最小击穿电压:14 V配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差:5.59%最小二极管电容比:1.65
标称二极管电容:45.55 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.15 W最小质量因数:75
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HVM16-03TL-E 数据手册

 浏览型号HVM16-03TL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HVM16-03TL-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HVM16-03TL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HVM16-03TL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HVM16-03TL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HVM16-03TL-E的Datasheet PDF文件第7页 
HVM16  
Variable Capacitance Diode for FM tuner  
REJ03G0519-0600  
(Previous: ADE-208-086E)  
Rev.6.00  
Feb 17, 2005  
Features  
Worked by 8V, suitable for small manufacture sources of electric power.  
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
HVM16  
Laser Mark  
Renesas Code  
PLSP0003ZC-A  
Previous Code  
T3  
MPAK  
Pin Arrangement  
3
1. Anode  
2. Anode  
2
1
(Top View)  
3. Cathode  
Rev.6.00 Feb 17, 2005 page 1 of 4  

与HVM16-03TL-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HVM16-B RECTRON

获取价格

Rectifier Diode,
HVM16L RECTRON

获取价格

暂无描述
HVM16L-B RECTRON

获取价格

暂无描述
HVM16TL HITACHI

获取价格

Variable Capacitance Diode, 14V, Silicon
HVM16TR HITACHI

获取价格

Variable Capacitance Diode, 14V, Silicon
HVM17TL HITACHI

获取价格

Variable Capacitance Diode, 15V, Silicon
HVM17TR HITACHI

获取价格

Variable Capacitance Diode, 15V, Silicon
HVM17WA ETC

获取价格

HVM17WATL HITACHI

获取价格

Variable Capacitance Diode, 15V, Silicon
HVM18 LRC

获取价格

Controlled avalanche characteristic combined Low forward voltage drop