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HVM132WK

更新时间： 2024-01-26 22:51:47

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HVM132WK 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.24
应用：	SWITCHING	最小击穿电压：	60 V
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	2 Ω
二极管类型：	PIN DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HVM132WK 数据手册

ADE-208-319B(Z)

HVM132WK

Silicon Epitaxial Planar Pin Diode

for Antenna Switching

Rev. 2

Jan. 1996

Features

Outline

• Low capacitance.(C=0.5pF max)

• Low forward resistance. (r =2.0Ω max)

• MPAK package is suitable for high density

surface mounting and high speed assembly.

(Top View)

1 Anode

2 Anode

3 Cathode

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HVM132WK

MPAK

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

VRM

Value

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

Forward current

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

* Two device total

V_R

I _F

100

°C

150

125

-55 to +125

°C

stg

Electrical Characteristics (Ta = 25°C) *

Item

Symbol

Min

—

Typ

—

Max

1.0

0.1

0.5

2.0

Unit

Test Condition

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

Forward resistance

I = 10 mA

—

µA

Ω

= 60 V

—

= 1 V , f = 1 MHz

—

I = 10 mA, f = 100 MHz

* Do not guarantee electrical characteristics when forward bias between (1) - (3) or (2) - (3) and reverse

bias between (2) - (3) or (1) - (3) at the same time and vice versa.

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