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HVC386B

更新时间: 2024-10-29 11:00:51
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瑞萨 - RENESAS 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 138K
描述
Variable Capacitance Diode for VCO

HVC386B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:ULTRA SMALL, UFP-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.2配置:SINGLE
二极管电容容差:6.52%最小二极管电容比:1.8
标称二极管电容:46 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:15 V
子类别:Varactors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HVC386B 数据手册

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HVC386B  
Variable Capacitance Diode for VCO  
REJ03G0496-0100  
(Previous: ADE-208-829)  
Rev.1.00  
Jan 19, 2005  
Features  
High capacitance ratio. (n = 1.80 min)  
Low series resistance. (rs = 0.85max)  
Ultra small Flat Lead Package (UFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Type No.  
HVC386B  
Laser Mark  
Package Code  
F7  
UFP  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
F7  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.1.00 Jan 19, 2005 page 1 of 4  

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