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HVC376B-E

更新时间: 2024-10-29 13:08:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 61K
描述
26.75pF, 15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, ULTRA SMALL, UFP-2

HVC376B-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:ULTRA SMALL, UFP-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.2其他特性:HIGH Q
最小击穿电压:15 V配置:SINGLE
二极管电容容差:6.54%最小二极管电容比:4.3
标称二极管电容:26.75 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

HVC376B-E 数据手册

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HVC376B  
Variable Capacitance Diode for VCO  
REJ03G0091-0200  
Rev.2.00  
Sep 05, 2005  
Features  
High capacitance ratio (n = 4.30 min) and good C-V linearity.  
High Q circuit can be composed due to low series resistance. (rs = 0.8 max)  
To be usable at low voltage.  
Ultra small Flat Lead Package (UFP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Package Code  
Type No.  
Laser Mark  
Package Name  
(Previous Code)  
HVC376B  
B9  
UFP  
PWSF0002ZA-A  
(UFP)  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
B9  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.2.00 Sep 05, 2005 page 1 of 4  

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