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HVC369BTRV

更新时间: 2024-10-29 19:29:03
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瑞萨 - RENESAS 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

HVC369BTRV 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.14
最小击穿电压:15 V配置:SINGLE
最小二极管电容比:2.3二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

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