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HVC358BTRF

更新时间: 2024-10-29 19:29:03
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瑞萨 - RENESAS 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 105K
描述
15V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

HVC358BTRF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.14最小击穿电压:15 V
配置:SINGLE最小二极管电容比:2.2
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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