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HTM4A60

更新时间： 2024-01-11 14:42:03
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华汕 - HUASHAN 可控硅三端双向交流开关
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3页 157K
描述
INSULATED TYPE TRIAC (TO-126ML PACKAGE)

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HTM4A60 数据手册

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HTM4A60  
INSULATED TYPE TRIAC (TO-126ML PACKAGE)  
█ Features  
* Repetitive Peak Off-State Voltage: 600V  
* R.M.S On-state Current(IT(RMS)=4A)  
* High Commutation dv/dt  
█ General Description  
The Triac HTM4A60 is suitable for AC switching application, phase  
control application such as heater control, motor control, lighting control,  
and static switching relay.  
█ Absolute Maximum Ratings（Ta=25℃）  
Tstg——Storage Temperature  
-40~125℃  
-40~125℃  
1.5W  
Tj ——Operating Junction Temperature  
P
GM——Peak Gate Power Dissipation  
DRM——Repetitive Peak Off-State Voltage  
IT（RMS）——R.M.S On-state Current（Ta=66℃）  
GM——Peak Gate Voltage  
G M ——Peak Gate Current  
V
600V  
4.0A  
V
7.0V  
I
0. 5A  
ITSM——Surge On-state Current (One Cycle, 50/60Hz,Peak,Non-Repetitive)  
30/33A  
█ Electrical Characteristics（Ta=25℃）  
Symbol  
Items  
Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
IDRM  
Repetitive Peak Off-State Current  
1.0  
mA VD=VDRM,Single  
Phase,  
Half Wave, TJ=125℃  
Peak On-State Voltage  
IT=6A, Inst. Measurement  
VTM  
1.6  
20  
V
Gate Trigger Current（Ⅰ）  
I+GT1  
mA VD=6V, RL=10 ohm  
Gate Trigger Current（Ⅱ）  
Gate Trigger Current（Ⅲ）  
Gate Trigger Voltage（Ⅰ）  
Gate Trigger Voltage（Ⅱ）  
I- GT1  
I- GT3  
20  
20  
mA VD=6V, RL=10 ohm  
mA VD=6V, RL=10 ohm  
V+ GT1  
V- GT1  
V- GT3  
VGD  
1.5  
1.5  
1.5  
V
V
V
V
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
TJ=125℃,VD=1/2VDRM  
Gate Trigger Voltage（Ⅲ）  
Non-trigger Gate Voltage  
Critical Rate of Rise of Off-State  
Voltage at Commutation  
0.2  
5.0  
(dv/dt)c  
V/µS TJ=125℃,VD=2/3VDRM  
(di/dt)c= -3A/ms  
mA  
Holding Current  
IH  
5.0  
Thermal Resistance  
Junction to case  
Rth(j-c)  
3.5  
℃/W  
123

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与HTM4A60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HTM4A60S HUASHAN

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 		INSULATED TYPE SENSITIVE GATE TRIAC (TO-126ML PACKAGE)
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