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HTIP112

更新时间： 2024-02-03 18:06:27

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HSMC		晶体晶体管局域网
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4页	47K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HTIP112 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	500
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

HTIP112 数据手册

Spec. No. : HE200203

Issued Date : 2000.08.01

Revised Date : 2002.03.28

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HTIP112

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HTIP112 is designed for use in general purpose amplifier and low-

speed switching applications.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

TO-220

• Maximum Temperatures

Storage Temperature ........................................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature ................................................................................................ +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C)................................................................................................. 50 W

Total Power Dissipation (Ta=25°C)................................................................................................... 2 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage ................................................................................................. 100 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage.............................................................................................. 100 V

BVEBO Emitter to Base Voltage ....................................................................................................... 5 V

IC Collector Current (Continue) ......................................................................................................... 4 A

IC Collector Current (Peak)................................................................................................................ 6 A

Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

BVCEO

ICBO

ICEO

IEBO

*VCE(sat)

*VBE(on)

*hFE1

*hFE2

Cob

100

500

2.5

2.8

IC=1mA

IC=30mA

VCB=100V

VCE=50V

VEB=5V

IC=2A, IB=8mA

IC=2A, VCE=4V

IC=1A, VCE=4V

IC=2A, VCE=4V

VCB=10V, f=0.1MHz

200

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Darlington Schematic

HTIP112

HSMC Product Specification

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HTIP122	HSMC	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	获取价格
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