Datasheet > HT666

HT666

更新时间： 2024-01-21 19:47:38

品牌	Logo	应用领域
HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	47K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HT666 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	35	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

HT666 数据手册

Spec. No. : HE6464

Issued Date : 1993.09.07

Revised Date : 2005.02.15

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HT666

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HT666 is designed for general purpose amplifier and high-speed,medium-

power switching applications.

TO-92

Features

• High Frequency Current Gain

• High Speed Switching Transistor

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150 °C

Junction Temperature ................................................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (T_A=25°C) ............................................................................................................... 625 mW

• Maximum Voltages and Currents (T_A=25°C)

BV_CBOCollector to Base Voltage......................................................................................................................... 75 V

BV_CEOCollector to Emitter Voltage...................................................................................................................... 40 V

BV_EBOEmitter to Base Voltage.............................................................................................................................. 6 V

I_CCollector Current........................................................................................................................................ 600 mA

Electrical Characteristics (T_A=25°C)

Symbol

BV_CBO

*BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

I_C=10uA

I_C=100mA

I_E=10uA

V_CB=60V

300

I_CEX

V_CB=60V, V_EB(off)=3V

V_EB=3V

I_EBO

*V_CE(sat)1

*V_CE(sat)2

*V_BE(sat)1

*V_BE(sat)2

*h_FE1

I_C=150mA, I_B=15mA

I_C=500mA, I_B=50mA

I_C=150mA, I_B=15mA

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=10V, I_C=100uA

V_CE=10V, I_C=1mA

1.2

100

300

*h_FE2

*h_FE3

V_CE=10V, I_C=10mA

*h_FE4

300

V_CE=10V, I_C=150mA

V_CE=10V, I_C=500mA

V_CE=1V, I_C=150mA

*h_FE5

*h_FE6

f_T

MHz

I_C=20mA, V_CE=20V, f=100MHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HT666

HSMC Product Specification

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与HT666相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HT66F002	HOLTEK	获取价格	Cost-Effective A/D Flash MCU with EEPROM
HT66F0021	HOLTEK	获取价格	1K/2K Low-Cost A/D Flash MCU
HT66F0025	HOLTEK	获取价格	Cost-Effective A/D Flash MCU with EEPROM
HT66F003	HOLTEK	获取价格	Cost-Effective A/D Flash MCU with EEPROM
HT66F0031	HOLTEK	获取价格	1K/2K Low-Cost A/D Flash MCU
HT66F004	HOLTEK	获取价格	Cost-Effective A/D Flash MCU with EEPROM
HT66F0041	HOLTEK	获取价格	1K/2K Low-Cost A/D Flash MCU
HT66F0042	HOLTEK	获取价格	A/D Flash MCU with EEPROM
HT66F005	HOLTEK	获取价格	Cost-Effective A/D Flash MCU with EEPROM
HT66F006	HOLTEK	获取价格	Cost-Effective A/D Flash MCU with EEPROM

与HT666相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

11
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HT666

HT666 技术参数

HT666 数据手册

与HT666相关器件

与HT666相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HT666

HT666 技术参数

HT666 数据手册

与HT666相关器件

与HT666相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？