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HT6264-70(28DIP)

更新时间: 2024-02-09 20:50:20
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其他 - ETC 静态存储器LTE
页数 文件大小 规格书
10页 244K
描述
x8 SRAM

HT6264-70(28DIP) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SO28(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.045 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HT6264-70(28DIP) 数据手册

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