是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | TAPE AND REEL; TRI-STATE ENABLE/DISABLE FUNCTION |
最长下降时间: | 6 ns | 频率调整-机械: | NO |
频率稳定性: | 20% | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
最大工作频率: | 125 MHz | 最小工作频率: | 1.544 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
振荡器类型: | HCMOS | 输出负载: | 15 pF |
物理尺寸: | 7.5mm x 5.0mm x 1.4mm | 最长上升时间: | 6 ns |
最大供电电压: | 3.465 V | 最小供电电压: | 3.135 V |
标称供电电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
最大对称度: | 55/45 % | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HSM8100 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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HSM8100G | ETC |
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Schottky Rectifier |
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HSM8100G/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO215AB |
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HSM8100J | ETC |
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Schottky Rectifier |
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HSM8100J/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB |
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HSM8100JE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, |
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HSM825 | MICROSEMI |
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8 Amp Schottky Rectifier |
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HSM825G | ETC |
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Schottky Rectifier |
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HSM825G/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB |
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HSM825GE3/TR13 | MICROSEMI |
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DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB |
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