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HSD8M32M4V-F13

更新时间： 2024-09-21 03:20:15
品牌 Logo 应用领域
HANBIT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 89K
描述
Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) 72pin-SIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V

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HSD8M32M4V-F13 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Base Number Matches：1

HSD8M32M4V-F13 数据手册

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HANBit  
HSD8M32M4V  
Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) 72pin-SIMM based on  
16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V  
Part No.  
HSD8M32M4V  
GENERAL DESCRIPTION  
The HSD8M32M4V is a 8M x 32 bit Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The module consists of  
four CMOS 2M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II packages mounted on a 72-pin, FR-4-printed circuit  
board. Two 0.01uF decoupling capacitor is mounted on the printed circuit board in parallel for each SDRAM. The  
HSD8M32M4V is a SIMM designed. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. I/O  
transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable latencies allows the same  
device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications All module components  
may be powered from a single 3.3V DC power supply and all inputs and outputs are LVTTL-compatible.  
PIN ASSIGNMENT  
FEATURES  
• Part Identification  
PIN SYMBOL PIN  
SYMBOL PIN SYMBOL  
HSD8M32M4V-13/F13 :133MHz ( CL=3)  
HSD8M32M4V-12/F12: 125MHz (CL=3)  
HSD8M32M4V-10/F10: 100MHz (CL=2)  
HSD8M32M4V-10L/10L: 100MHz  
HSD8M32M4V-66/F66: 66MHz (CL=2&3)  
F means Auto & Self refresh with Low – Power (3.3V)  
1
2
Vss  
DQ0  
DQ1  
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DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQM0  
Vcc  
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DQ15  
DQM1  
NC  
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A5  
A6  
3
A7  
4
A8  
5
/WE  
A9  
6
/CAS  
Vcc  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQM3  
NC  
7
• Burst mode operation  
8
/RAS  
/CS0  
NC  
• Auto & self refresh capability (4096 Cycles/64ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V ±0.3V power supply  
• MRS cycle with address key programs  
- Latency (Access from column address)  
- Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
- Data scramble (Sequential & Interleave)  
• All inputs are sampled at the positive going edge  
of the system clock  
9
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NC  
NC  
CLK0  
CKE0  
Vss  
A0  
A1  
A2  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQM2  
Vcc  
A3  
A10/AP  
A11  
A4  
• FR4-PCB design  
Vss  
NC  
• The used device is KM48S16030AT  
• Pin assignment is compatible with  
- HSD8M32M4V  
DQ8  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
Vcc  
BA0  
BA1  
NC  
- HSD32M32M4V  
NC  
Vss  
72-PIN SIMM TOP VIEW  
URL:www.hbe.co.kr  
REV.1.0 (August.2002)  
- 1 -  
HANBit Electronics Co.,Ltd.  
1234567...10

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与HSD8M32M4V-F13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HSD8M64B4W HANBIT

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