Datasheet > HSC2682

HSC2682

更新时间： 2024-02-24 07:01:08

品牌	Logo	应用领域
HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	36K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HSC2682 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	8 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO

HSC2682 数据手册

Spec. No. : HE6626-B

Issued Date : 1994.12.07

Revised Date : 2000.10.01

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSC2682

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

Audio frequency power amplifier, high frequency power amplifier.

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150 °C

Junction Temperature ................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................... 1.2 W

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ...................................................................................... 8 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 180 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 180 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V

IC Collector Current....................................................................................................... 100 mA

(Ta=25°C)

Electrical Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

180

100

500

1.5

320

IC=1mA

IC=10mA

IE=10uA

VCB=180V

VEB=3V

IC=50mA, IB=5mA

IC=1mA, VCE=5V

IC=10mA, VCE=5V

IC=20mA, VCE=10V

VCB=10V

IEBO

*VCE(sat)

*VBE(sat)

*hFE1

*hFE2

120

0.8

200

MHz

Cob

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE2

Rank

Range

100-200

160-320

HSMC Product Specification

12 3

中文翻译

下载PDF

与HSC2682相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSC26DRAH	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DRAH-S734	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DRAI	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DRAI-S734	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DRAN	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DRAN-S734	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DRAS	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DRAS-S734	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DREF	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100
HSC26DREF-S13	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 52POS 0.100