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HSC2621

更新时间: 2024-11-16 05:36:51
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华汕 - HUASHAN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 102K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

HSC2621 数据手册

  
NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R  
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HSC2621  
APPLICATIONS  
Color TV Chroma Output Applications  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25℃)  
TO-126  
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃  
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃  
PC——Collector DissipationTc=25………………… 10W  
PC——Collector Dissipation……………………………… 1.2W  
VCBO——Collector-Base Voltage………………………… 300V  
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 300V  
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………6.5V  
IC——Collector Current……………………………………200mA  
ICP——Collector CurrentPulse………………………700mA  
1EmitterE  
2CollectorC  
3BaseB  
ELECTRICAL CHARACTERISTICSTa=25℃)  
Symbol  
Characteristics  
Collector Cut-off Current  
Min  
Typ  
Max Unit  
Test Conditions  
ICBO  
IEBO  
HFE  
1.0 μA VCB=200V, IE=0  
1.0 μA VEB=6V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
40  
50  
200  
VCE=10V, IC=10mA  
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage  
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage  
0.6 V  
1.0 V  
IC=20mA, IB=2mA  
IC=20mA, IB=2mA  
Current Gain-Bandwidth Product  
ft  
MHz VCE=30V, IC=10mA,  
5 pF VCB=50V, f=1MHz  
Cob  
Output Capacitance  
hFE Classification  
C
D
E
40—80  
60—120  
100—200  

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