Datasheet > HSC2228Y

HSC2228Y

更新时间： 2024-02-15 22:56:25

品牌	Logo	应用领域
HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	37K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HSC2228Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

HSC2228Y 数据手册

Spec. No. : HE6527-B

Issued Date : 1993.01.15

Revised Date : 2000.10.01

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSC2228Y

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HSC2228Y is designed for high voltage amplifier applications.

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature ..................................................................................... 150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................... 900 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage ...................................................................................... 160 V

VCEO Collector to Emitter Voltage ................................................................................... 160 V

VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................. 5 V

IC Collector Current ........................................................................................................ 50 mA

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=100uA, IE=0

IC=1mA, IB=0

IE=10uA, IC=0

VCB=160V, IE=0

VEB=5V

IC=2mA, IB=20mA

VCE=10V, IC=10mA

VCE=30V, IC=10mA

VCB=10V, f=1MHZ

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

160

0.6

320

IEBO

*VCE(sat)

*VBE(sat)

*hFE

Cob

MHz

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification of hFE

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

HSMC Product Specification

12 3

中文翻译

下载PDF

与HSC2228Y相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSC2240	HSMC	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HSC226	HITACHI	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode
HSC226	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
HSC226	KEXIN	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode
HSC226	SEMTECH	获取价格	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE
HSC226	TYSEMI	获取价格	Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design
HSC22DRAH	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.100
HSC22DRAH-S734	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.100
HSC22DRAI	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.100
HSC22DRAI-S734	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.100