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HSC1959

更新时间： 2024-09-23 22:48:31

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HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	41K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HSC1959 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

HSC1959 数据手册

Spec. No. : HE6524

Issued Date : 1993.01.15

Revised Date : 2002.03.04

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSC1959

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HSC1959 is designed for audio frequency Low power amplifier

applications.

TO-92

Features

• Excellent hFE Linearity

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature...................................................................................... 150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C)................................................................................ 500 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage ......................................................................................... 35 V

VCEO Collector to Emitter Voltage...................................................................................... 30 V

VEBO Emitter to Base Voltage.............................................................................................. 5 V

IC Collector Current ....................................................................................................... 500 mA

Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=100uA, IE=0

IC=1mA, IB=0

IE=10uA, IC=0

VCB=35V, IE=0

BVCBO

BVCEO

BVEB

ICBO

120

100

0.25

240

IEBO

VEB=5V, IC=0

*VCE(sat)

VBE(on)

*hFE1

*hFE2

IC=100mA, IB=10mA

VCE=1V, IC=100mA

VCE=6V, IC=400mA

IC=20mA, VCE=6V

IE=0, VCB=6V, f=1MHZ

300

MHz

Cob

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HSC1959

HSMC Product Specification

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSC1959SP	HSMC	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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