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HSBD438

更新时间： 2024-09-28 10:56:19

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	121K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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HSBD438 数据手册

PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HSBD438

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear switching Applications

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 36W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… -45V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… -45V

V_CES——Collector-Emitter Voltage………………………… -45V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………… -5V

I_C——Collector Curren（t Pulse）………………………………… -7A

I_C——Collector Current（DC）………………………………… -4A

I_B——Base Current………………………………………………-1A

1―Emitter, E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

I_CBO

Characteristics

Collector Cut-off Current

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

V^CB=-45V, I_E=0

-100

μA

-1

I_EBO

h_FE(1)

Emitter-Base Cut-off Current

DC Current Gain

V^EB=-5V, I_C=0

140

V^CE=-5V, IC=-10mA

V^CE=-1V, IC=-500mA

*h_FE(2)

*V_CE(sat)

*VBE(ON)

VCEO(SUS)

V^CE=-1V, IC=-2A

-0.2 -0.6

-1.2

Ic=-2A, IB=-0.2A

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Ic=-2A, VCE=-1V

Ic=-100mA,IB=0

-45

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

MHz Ic=-250mA, VCE=-1V

* Pulse Test:PW=300μS,Duty Cycle=1.5% Pulsed

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