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HSBD437

更新时间： 2024-02-16 16:38:17

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	121K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HSBD437 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HSBD437

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear switching Applications

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 36W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… 45V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 45V

V_CES——Collector-Emitter Voltage………………………… 45V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………… 5V

I_C——Collector Current（Pulse）………………………………… 7A

I_C——Collector Curren（t DC）…………………………………… 4A

I_B——Base Current………………………………………………1A

1―Emitter, E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

I_CBO

Characteristics

Collector Cut-off Current

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

V^CB=45V, I_E=0

100

μA

I_EBO

h_FE(1)

Emitter-Base Cut-off Current

DC Current Gain

V^EB=5V, I_C=0

130

140

V^CE=5V, IC=10mA

V^CE=1V, IC=500mA

*h_FE(2)

*V_CE(sat)

*VBE(ON)

VCEO(SUS)

V^CE=1V, IC=2A

0.2

0.6

1.2

Ic=2A, IB=0.2A

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Ic=2A, VCE=1V

Ic=100mA,IB=0

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

MHz Ic=250mA, VCE=1V

* Pulse Test:PW=300μS,Duty Cycle=1.5% Pulsed

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