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HSBD376-10

更新时间： 2024-01-21 21:33:24

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Transistor

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HSBD376-10 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	63	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

HSBD376-10 数据手册

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HSBD376

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear switching Applications

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg— — Storage Temperature⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -55~150℃

T_j— — Junction Temperature⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 150℃

P_C— — Collector Dissipation（T_c=25℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 25W

V_CBO— — Collector-Base Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -50V

V_CEO— — Collector-Emitter Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -45V

V_EBO— — Emitter-Base Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -5V

I_C— — Collector Curren（t Pulse）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -3A

I_C— — Collector Current（DC）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -2A

Ib— — Base Current⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -1A

1―Emitter, E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

V_CB=-45V, I_E=0

ICBO

IEBO

-2 μA

-100 μA

375

V_EB=-5V, I_C=0

*HFE（1） DC Current Gain

V_CE=-2V, I_C=-150mA

V_CE=-2V, I_C=-1A

I_C=-1A, I_B=-0.1A

V_CE=-2V, I_C=-1A

I_C=-100mA, I_B=0

*HFE（2） DC Current Gain

*VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

-1

*VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

-1.5 V

VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage

-45

-50

BVCBO

tON

Collector-Base Breakdown Voltage

Turn-On Time

I_C=-100μA, I_E=0

V_CC=-30V, I_C=-0.5A

tOFF

Turn-Off Time

I_B1=-I_B2=-0.05A

500

* Pulse Test:PW=350μS,Duty Cycle=2% Pulsed

█ h_FE(3)Classification

Cassification

h_FE(3)

40~100

63~160

100~250

150~375

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