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HSBD237

更新时间： 2024-02-13 05:30:41

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	121K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HSBD237 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	25	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

HSBD237 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HSBD237

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear switching Applications

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 25W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… 100V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 80V

V_CER——Collector-Emitter Voltage………………………… 100V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………… 5V

I_C——Collector Current（Pulse）………………………………… 6A

I_C——Collector Current（DC）……………………………… 2A

1―Emitter, E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

I_CBO

Characteristics

Collector Cut-off Current

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

V^CB=100V, I_E=0

100

μA

I_EBO

h_FE(1)

Emitter-Base Cut-off Current

DC Current Gain

V^EB=5V, I_C=0

V^CE=2V, IC=150mA

*h_FE(2)

*V_CE(sat)

*VBE(ON)

VCEO(SUS)

V^CE=2V, IC=1A

0.6

1.3

Ic=1A, IB=0.1A

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Ic=1A, VCE=2V

Ic=100mA,IB=0

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

MHz Ic=250mA, VCE=10V

* Pulse Test:PW=350μS,Duty Cycle≤1.5% Pulsed

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