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HSBD233

更新时间： 2024-09-22 05:36:51

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	120K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HSBD233 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HSBD233

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear switching Applications

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 25W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… 45V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 45V

V_CER——Collector-Emitter Voltage………………………… 45V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………… 5V

I_C——Collector Current（Pulse）………………………………… 6A

I_C——Collector Current（DC）……………………………… 2A

1―Emitter, E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

ICBO

IEBO

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

100 μA V_CB=45V, I_E=0

mA V_EB=5V, I_C=0

V_CE=2V, I_C=150mA

*HFE（1） DC Current Gain

*HFE（2） DC Current Gain

V_CE=2V, I_C=1A

I_C=1A, I_B=0.1A

V_CE=2V, I_C=1A

I_C=100mA, I_B=0

*VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

0.6 V

1.3 V

*VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage 45

ft Current Gain-Bandwidth Product

* Pulse Test:PW=300μS,Duty Cycle=1.5% Pulsed

MHz V_CE=10V, I_C=250mA,

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