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HSBD178

更新时间： 2024-02-25 18:59:49

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	125K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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HSBD178 数据手册

PNP SILICON TRANSISTOR

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HSBD178

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear switching Applications

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 30W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… -60V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… -60V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………… -5V

I_C——Collector Curren（t Pulse）………………………………… -7A

I_C——Collector Current（DC）……………………………… -3A

1―Emitter, E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

ICBO

IEBO

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

-100 μA V_CB=-60V, I_E=0

-1 mA V_EB=-5V, I_C=0

*HFE（1） DC Current Gain

250

V_CE=-2V, I_C=-150mA

*HFE（2） DC Current Gain

V_CE=-2V, I_C=1A

I_C=-1A, I_B=-0.1A

V_CE=-2V, I_C=-1A

I_C=-100mA, I_B=0

*VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

-0.8 V

-1.3 V

*VBE(on)

Base-Emitter On Voltage

VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage -60

ft Current Gain-Bandwidth Product

MHz V_CE=-10V, I_C=-250mA,

*Pulse Test:PW=300μs,Duty Cycle=1.5% Pulsed

█h_FE(3)Classification

Cassification

63~160

100~250

h_FE(3)

40~100

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