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HSBD177

更新时间： 2024-02-29 07:41:45
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华汕 - HUASHAN 晶体晶体管
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描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HSBD177 数据手册

  
NPN SILICON TRANSISTOR  
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HSBD177  
█ APPLICATIONS  
Medium Power Linear switching Applications  
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃  
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃  
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 30W  
VCBO——Collector-Base Voltage…………………………… 60V  
VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 60V  
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………… 5V  
IC——Collector Current（Pulse）………………………………… 7A  
IC——Collector Current（DC）……………………………… 3A  
1―Emitter, E  
2―Collector，C  
3―Base，B  
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Symbol  
Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
ICBO  
IEBO  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
100 μA VCB=60V, IE=0  
1
mA VEB=5V, IC=0  
VCE=2V, IC=150mA  
*HFE（1） DC Current Gain  
40  
15  
250  
*HFE（2） DC Current Gain  
VCE=2V, IC=1A  
IC=1A, IB=0.1A  
VCE=2V, IC=1A  
IC=100mA, IB=0  
*VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage  
0.8 V  
1.3 V  
V
*VBE(on)  
Base-Emitter On Voltage  
VCEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage 60  
ft Current Gain-Bandwidth Product  
3
MHz VCE=10V, IC=250mA,  
*Pulse Test:PW=300μs,Duty Cycle=1.5% Pulsed  
█hFE(3) Classification  
Cassification  
6
10  
63~160  
16  
100~250  
hFE(3)  
40~100  
1

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