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HSBD135

更新时间： 2024-09-21 05:36:51

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	120K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HSBD135 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HSBD135

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear switching Applications

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 12.5W

P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）…………………… 1.25W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… 45V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 45V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………… 5V

I_C——Collector Current（Pulse）………………………………… 3A

I_C——Collector Current（DC）……………………………… 1.5A

I_B——Base Current………………………………………………0.5A

1―Emitter, E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

I_CBO

Characteristics

Collector Cut-off Current

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

V^CB=30V, I_E=0

0.1

μA

I_EBO

h_FE(1)

Emitter-Base Cut-off Current

DC Current Gain

V^EB=5V, I_C=0

V^CE=2V, IC=5mA

V^CE=2V, IC=0.5A

h_FE(2)

250

0.5

1.0

h_FE(3)

V^CE=2V, IC=150mA

Ic=500mA, IB=50mA

V_CE(sat)

VBE(ON)

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Ic=0.5A, VCE=2V

Ic=30mA,IB=0

Collector-Emitter Sustaining Voltage

█h_FE(3)Classification

Cassification

63~160

100~250

h_FE(3)

40~100

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