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HSB1386A

更新时间： 2024-02-09 08:24:43

品牌	Logo	应用领域
HSMC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	48K
描述
LOW FREQUENCY TRANSISTOR (-20V, -4A)

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技术参数
数据手册

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HSB1386A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	180	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

HSB1386A 数据手册

Spec. No. : HA200111

Issued Date : 2001.12.01

Revised Date : 2005.02.14

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSB1386A

LOW FREQUENCY TRANSISTOR (-20V, -4A)

Features

• Low V_CE(sat)

V_CE(sat)=-0.55V(Typ.) (I_C/I_B=-4A/-0.1A)

TO-92

• Excellent DC current gain characteristics.

Structure

Epitaxial planar type PNP silicon transistor

Absolute Maximum Ratings (T_A=25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Limits

-30

-20

-6

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

-4

I_C

Collector Current

-10

750

150

A(Pulse)*

P_D

T_j

Collector Power Dissipation (Ta=25^oC)

Junction Temperature

^oC

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

^oC

Electrical Characteristics (T_A=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Parameter

Min. Typ. Max. Unit

Test Conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter B reakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

-30

-20

-6

I_C=-50uA

I_C=-1mA

I_C=-50uA

-0.5

-1

uA V_CB=-20V

uA V_EB=-5V

I_EBO

Emitter Cutoff Current

*V_CE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C/I_B=-4A/-0.1A

V_CE=-2V, IC=-0.5A

*hFE

DC Current Transfer Ratio

Transition Frequency

Output Capacitance

580

110

MHz V_CE=-6V, I_E=50mA, f=30MHz

pF V_CB=-20V, I_E=0A, f=1MHz

Cob

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE

Rank

Range

82-180

120-270

180-390

370-580

HSB1386A

HSMC Product Specification

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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