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HSA1300

更新时间： 2024-02-05 05:00:54

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3页	40K
描述
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

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技术参数
数据手册

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HSA1300 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	140	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

HSA1300 数据手册

Spec. No. : HE6571

Issued Date : 1998.07.15

Revised Date : 2002.08.15

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HSA1300

SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

Description

• Strobo Flash Applications

• Medium Power Amplifier Applications

TO-92

Features

• High DC Current Gain and Excellenr hFE Linearity

• hFE(1)=140-600, (VCE=-1V, IC=-0.5A)

• hFE(2)=60 (Min.), (VCE=-1V, IC=-2A)

• Low Saturation Voltage

• VCE(sat)=-0.5V(Max.), (IC=-2A, IE=-50mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Symbol

VCBO

VCES

VCEO

VEBO

Ratios

-20

-10

-6

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-2

-5

Collector Current

Pulsed (Note 1)

ICP

Base Current

Tstg

-0.2

750

150

-55~150

°C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

°C

Note 1 : Pulse Width=10ms(Max.), Duty Cycle=30%(Max.)

Electrical Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ICBO

Min.

-10

-6

Typ.

Max.

Unit

Test Condition

IC=-10mA, IB=0

IE=-1mA, IC=0

VCE=-20V, IE=0

-100

1000

-0.5

-1.5

IEBO

VBE=-6V, IC=0

*hFE1

*hFE2

*VCE(sat)

VBE

140

VCE=-1V, IC=-0.5A

VCE=-1V, IC=-2A

IC=-2A, IB=-50mA

VCE=-1V, IC=-2A

VCE=-1V, IC=-0.5A

VCE=-10V, IE=0, f=1KHZ

MHz

-0.83

140

Cob

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classifications of hFE1

Rank

hFE1

200-400

300-600

500~1000

140-280

HSA1300

HSMC Product Specification

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HSA1300D	HSMC	SILICON PNP EPITAXIAL TYPE	获取价格
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