HS56021

更新时间： 2024-02-05 23:26:32

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
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描述
Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching

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HS56021 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HS56021 数据手册

HS56021

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1670-0200

Rev.2.00

Apr 24, 2008

Features

•

Low on-resistance

Low drive current

High density mounting

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DC-A

(Package name: TO-92 Mod)

1. Gate

2. Drain

3. Source

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

600

±30

0.2

Unit

Gate to source voltage

Drain current

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

0.8

Body-drain diode reverse drain current

Body-drain diode reverse drain peak current

Channel dissipation

0.2

Note1

I_{DR (pulse)}

Pch

0.8

0.9

°C/W

°C

Channel to ambient thermal impedance

Channel temperature

θ_ch-a

139

150

Tch

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

REJ03G1670-0200 Rev.2.00 Apr 24, 2008

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