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HS5551

更新时间: 2024-09-25 19:51:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, NPN, Silicon, HSOT

HS5551 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:160 V最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-609代码:e0峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
端子面层:TIN LEAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

HS5551 数据手册

  

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