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HS2236

更新时间： 2024-01-17 22:44:23

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	178K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HS2236 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HS2236

█ APPLICATIONS

Audio Power Amplifier.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-126

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）………………… 900mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… 30V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 30V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 5V

I_C——Collector Current………………………………………1.5A

Ib——Base Current…………………………………………0.15A

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 30

I_C=10mA, I_B=0

I_E=1mA，I_C=0

BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage

IEBO

ICBO

HFE

Emitter Cut-off Current

Collector Cut-off Current

DC Current Gain

100 nA V_EB=5V, I_C=0

100 nA V_CB=30V, I_E=0

100

320

V_CE=2V, I_C=500mA

I_C=1.5A, I_B=0.03A

V_CE=2V, I_C=500mA

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE

Base-Emitter Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

120

MHz V_CE=2V, I_C=500mA,

30 pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

Cob

█ h^FEClassification

100—200

160—320

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