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HS2236

更新时间： 2024-02-13 00:52:18
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华汕 - HUASHAN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 178K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HS2236 数据手册

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NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R  
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HS2236  
█ APPLICATIONS  
Audio Power Amplifier.  
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
TO-126  
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃  
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃  
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）………………… 900mW  
VCBO——Collector-Base Voltage………………………… 30V  
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 30V  
VEBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 5V  
IC——Collector Current………………………………………1.5A  
Ib——Base Current…………………………………………0.15A  
1―Emitter，E  
2―Collector，C  
3―Base，B  
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Symbol  
Characteristics  
Min  
Typ  
Max Unit  
Test Conditions  
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 30  
V
V
IC=10mA, IB=0  
IE=1mA，IC=0  
BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage  
5
IEBO  
ICBO  
HFE  
Emitter Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
100 nA VEB=5V, IC=0  
100 nA VCB=30V, IE=0  
100  
320  
VCE=2V, IC=500mA  
IC=1.5A, IB=0.03A  
VCE=2V, IC=500mA  
VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage  
VBE  
ft  
2
V
V
Base-Emitter Voltage  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
1
120  
MHz VCE=2V, IC=500mA,  
30 pF VCB=10V, IE=0，f=1MHz  
Cob  
█ hFE Classification  
O
Y
100—200  
160—320  
12

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