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HS13003

更新时间： 2024-01-15 01:56:37

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	117K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HS13003 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HS13003

█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATIONS

High Speed Switching

Suitable for Switching Regulator and Montor Control

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -65~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………30W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………600V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………400V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………9V

1―Base，B

2―Collector，C

3― Emitter，E

I_C——Collector Current……………………………………

1.5A

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

BVCBO

BVCEO

BVEBO

HFE

600

400

I_C=1mA, IE=0

I_C=10mA, IB=0

I_E=1mA， I_C=0

V_CE=10V, I_C=0.1A

I_C=1A, I_B=500mA

I_C=0.5A, I_B=100mA

I_C=0.5A, IB=100mA

VCE(sat)1 Collector- Emitter Saturation Voltage

0.8 V

1.2 V

VCE(sat)2

VBE(sat)

ICBO

IEBO

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector Cut-off Current

10 μA V_CB=500V, I_E=0

10 μA V_EB=9V, I_C=0

Emitter-Base Cut-off Current

Current Gain-Bandwidth Product

Turn On Time

V_CE=10V,I_C=0.1A,f=1MHz

tON

MHz

V_CC=125V, I_C=1A,

μs

1.1

tSTG

Storage Time

Fall Time

4.0 μs

0.7 μs

I_B1=0.2A,I_B2=-0.2A

RL=125Ω

█ hFE Classification

10-16

19-26

14-21

24-31

29-40

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