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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | DIP, DIP22,.4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 315 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T22 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256X4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535V;38534K;883S | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.013 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 总剂量： | 20k Rad(Si) V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HS1-65643RH | RENESAS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 50ns, CMOS, CDIP24 |
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| HS1-65643RHH-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,64KX1,CMOS, RAD HARD,DIP,24PIN,CERAMIC |
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| HS1-65647RH | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM |
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| HS1-65647RH/PROTO | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM |
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| HS1-65647RH-8 | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM |
|
| HS1-65647RH-Q | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM |
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| HS1-6564RH-8 | ETC |
获取价格 |
x8 Synchronous SRAM Module |
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| HS1-65C262RH-8 | RENESAS |
获取价格 |
HS1-65C262RH-8 |
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| HS1-65C262RRH | RENESAS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 145ns, CMOS, CDIP20 |
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| HS1-65C262RRH-8 | RENESAS |
获取价格 |
HS1-65C262RRH-8 |
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