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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.4 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HRL0103C-N | RENESAS |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
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| HRL0103C-NKRF | RENESAS |
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0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE, EFP, 2 PIN |
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| HRL12 | ETC |
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Analog IC |
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| HRL1210W | CSB-BATTERY |
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specially designed for high efficient discharge application |
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| HRL1210W_16 | CSB-BATTERY |
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Cells Per Unit 6 Voltage Per Unit 12 |
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| HRL1210W_17 | CSB-BATTERY |
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Valve Regulated Lead Acid Battery |
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| HRL12110W | CSB-BATTERY |
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specially designde for high efficient discharge application |
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| HRL12110W_12 | CSB-BATTERY |
获取价格 |
Its characteristics are high energy density, small footprint and high discharge efficiency |
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| HRL12110W_16 | CSB-BATTERY |
获取价格 |
Cells Per Unit 6 Voltage Per Unit 12 |
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| HRL12110W_17 | CSB-BATTERY |
获取价格 |
Valve Regulated Lead Acid Battery |
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