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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.43 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HRF302A | HITACHI | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
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| HRF302ATL | HITACHI | 3A, 20V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214 |
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| HRF302ATR | HITACHI | 暂无描述 |
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| HRF32 | HITACHI | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
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| HRF3205 | FAIRCHILD | 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs |
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| HRF3205 | INTERSIL | 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs |
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| HRF3205_NL | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| HRF3205-F102 | FAIRCHILD | Transistor |
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| HRF3205L | ROCHESTER | 100A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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| HRF3205L | RENESAS | 100A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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