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HP31CF

更新时间： 2022-11-07 18:43:01

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	132K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HP31CF 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HP31CF

█ APPLICATIONS

Mediuｍ Power Linear switching Applications.

TO-220F

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation（Tc=25℃）……………………………30W

P_C——Collector Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………100V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………100V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current（DC）………………………………………3A

I_C——Collector Current（Pulse）……………………………………5A

Ib——Base Current………………………………………………1A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter，E

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min Typ Max Unit

Test Conditions

I_C=30mA, I_B=0

BVCEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage 100

HFE（1^）*DC Current Gain

HFE（2^）*DC Current Gain

VCE(sat) *Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(ON) *Base-Emitter On Voltage

V_CE=4V, I_C=1A

V_CE=4V, I_C=3A

I_C=3A, I_B=375mA

V_CE=4V, I_C=3A

1.2 V

1.8 V

ICEO

ICES

IEBO

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

0.3 mA V_CB=60V, I_B=0

200 μA V_CE=100V, V_EB=0

mA V_EB=5V, I_C=0

Current Gain-Bandwidth Product

3.0

MHz V_CE=10V, I_C=0.5A,f=1MHz

*Pulse Test：PW≤300μs，Duty cycle≤2%

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