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HP31 PDF预览

HP31

更新时间： 2022-12-28 04:29:37
品牌 Logo 应用领域
华汕 - HUASHAN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 138K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HP31 数据手册

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NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R  
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HP31  
█ APPLICATIONS  
Mediuｍ Power Linear switching Applications.  
TO-220  
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃  
Tj——Junction Temperature…………………………………150℃  
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）……………………………40W  
PC——Collector Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W  
VCBO——Collector-Base Voltage………………………………40V  
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………40V  
VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V  
IC——Collector Current（DC）………………………………………3A  
IC——Collector Current（Pulse）……………………………………5A  
Ib——Base Current………………………………………………1A  
1―Base，B  
2―Collector，C  
3―Emitter，E  
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Symbol  
Characteristics  
Min Typ Max Unit  
Test Conditions  
IC=30mA, IB=0  
BVCEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage 40  
V
HFE（1） *DC Current Gain  
HFE（2） *DC Current Gain  
VCE(sat) *Collector- Emitter Saturation Voltage  
VBE(ON) *Base-Emitter On Voltage  
25  
VCE=4V, IC=1A  
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=375mA  
VCE=4V, IC=3A  
10  
50  
1.2 V  
1.8 V  
ICEO  
ICES  
IEBO  
fT  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
0.3 mA VCB=30V, IB=0  
200 μA VCE=40V, VEB=0  
1
mA VEB=5V, IC=0  
Current Gain-Bandwidth Product  
3.0  
MHz VCE=10V, IC=500mA，f=1MHz  
*Pulse Test：PW≤300μs，Duty cycle≤2%  
12

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