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HMX1225

更新时间： 2024-09-23 22:33:35
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HSMC /
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2页 25K
描述
0.8A 300/380 VOLTAGE SCRS IGT<200uA

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HMX1225 数据手册

 浏览型号HMX1225的Datasheet PDF文件第2页 
Spec. No. : Preliminary Data  
Issued Date : 2000.07.01  
Revised Date : 2001.09.06  
Page No. : 1/2  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HMX1225  
HMM1225  
0.8A 300/380 VOLTAGE SCRS IGT<200uA  
Description  
The HMX1225/HMM1225 series silicon controlled rectifiers are high  
performance planner diffused PNPN devices. These parts are intended for  
low cost high volume applications.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Repetitive Peak Off State  
Voltage  
Part No.  
HMX1225  
HMM1225  
Symbol Min. Max. Unit  
Test Conditions  
Tj=40°C to 125°C  
(RGK=1K)  
TC=40°C  
Half Cycle=180°,TC=40°C  
IGR=10uA  
10us max  
VDRM  
VDRM  
IT(rms)  
IT(AV)  
VGRM  
IGM  
380  
300  
0.8  
0.5  
8
-
-
-
-
-
-
-
V
V
A
A
V
On-State Current  
Average On-State Current  
Peak Reverse Gate Voltage  
Peak Gate Current  
Gate Dissipation  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Soldering Temperature  
1
0.1  
A
PG(AV)  
Tj  
W
°C  
°C  
°C  
20ms max  
-40 125  
-40 125  
Tstg  
Tsld  
-
250  
1.6mm from case 10s max  
Classification Of IGT  
Rank  
A
C
HMX1225  
HMM1225  
10-23 uA  
10-23 uA  
17-55 uA  
17-55 uA  
Electrical Characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min Max Unit  
Test Conditions  
Off-State Leakage Current  
Off-State Leakage Current  
IDRM  
IDRM  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1 mA  
@VDRM (RGK=1K), Tj=125°C  
@VDRM (RGK=1K), Tj=25°C  
at IT=0.4A, Tj=25°C  
at IT=0.8A, Tj=25°C  
Tj=125°C  
5
uA  
V
V
1.4  
2.2  
0.95  
On-State Voltage  
VT  
On-State Threshold Voltage  
On-State Slops Resistance  
Gate Trigger Current  
Gate Trigger Voltage  
Holding Current  
VT(TO)  
rT  
IGT  
VGT  
IH  
V
600 Ohm  
Tj=125°C  
200 uA VD=7V  
0.8  
5
6
V
VD=7V  
mA RGK=1K(ohm)  
mA RGK=1K(ohm)  
Latching Current  
IL  
-
Critical Rate of Voltage Rise  
Crtical Rate of Current Rise  
Gate Controlled Delay Time  
dv/dt  
di/dt  
tgd  
25  
30  
-
-
-
V/us  
A/us  
VD=0.67*VDRM(RGK=1K), Tj=125°C  
IG=10mA,diG/dt=0.1A/us, Tj=125°C  
500 ns IG=10mA,diG/dt=0.1A/us  
Tc=85°C,VD=0.67*VDRM  
VR=35V,IT=IT(AV)  
Commutated Turn-off Time  
tg  
-
200 us  
Thermal Resistance junc.to case  
Thermal Resistance junc. to amb  
HMX1225 & HMM1225  
100  
200  
-
-
K/W  
K/W  
Rθjc  
Rθja  
HSMC Product Specification  
12

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