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HMS188CSBSLP-20

更新时间: 2024-01-18 09:39:05
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 392K
描述
x8 SRAM

HMS188CSBSLP-20 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.56Is Samacsys:N
最长访问时间:200 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HMS188CSBSLP-20 数据手册

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