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HMC998LP5ETR

更新时间： 2024-11-21 20:52:55

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频微波
页数	文件大小	规格书
10页	741K
描述
Wide Band Medium Power Amplifier, 100MHz Min, 20000MHz Max, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, PLASTIC, SMT, QFN-32

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HMC998LP5ETR 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	9 dB
最大输入功率 (CW)：	27 dBm	最大工作频率：	20000 MHz
最小工作频率：	100 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
Base Number Matches：	1

HMC998LP5ETR 数据手册

HMC998LP5E

v00.0612

GaAs pHEMT MMIC

2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 20 GHz

Features

Typical Applications

Thꢃ HmC998lp5e ꢇꢆ ꢇdꢃaꢉ ꢊꢁꢄ:

• Test Instumentation

• Microwave Radio & VSAT

• Military & Space

p1dB outꢀut pꢁꢂꢃꢄ: +31 dBꢅ

pꢆat outꢀut pꢁꢂꢃꢄ: +33 dBꢅ

Hꢇgh Gaꢇꢈ: 11 dB

outꢀut ip3: +41 dBꢅ

• Telecom Infrastructure

• Fiber Optics

suꢀꢀꢉy Vꢁꢉtagꢃ: Vdd = +15V @ 500 ꢅA

50 ohꢅ matchꢃd iꢈꢀut/outꢀut

32 lꢃad 5x5 ꢅꢅ smT packagꢃ: 25 ꢅꢅ²

Functional Diagram

General Description

Thꢃ HmC998lp5e ꢇꢆ

a GaAꢆ ꢀHemT mmiC

Distributed Power Ampliﬁer which operates between

0.1 and 20 GHz. The ampliﬁer provides 11 dB of gain,

+41 dBm output IP3, and +31 dBm of output power at

1 dB gaꢇꢈ cꢁꢅꢀꢄꢃꢆꢆꢇꢁꢈ ꢂhꢇꢉꢃ ꢄꢃquꢇꢄꢇꢈg ꢁꢈꢉy 500 ꢅA

from a +15V supply. The HMC998LP5E exihibits

ꢆꢉꢇghtꢉy ꢀꢁꢆꢇtꢇvꢃ gaꢇꢈ ꢊꢄꢁꢅ 3 tꢁ 17 GHz ꢅakꢇꢈg ꢇt ꢇdꢃaꢉ

for EW, ECM, Radar and test equipment applications.

Thꢃ HmC998lp5e ampliﬁer I/Os are internally

ꢅatchꢃd tꢁ 50 ohꢅꢆ aꢈd ꢇꢆ ꢆuꢀꢀꢉꢇꢃd ꢇꢈ a ꢉꢃadꢉꢃꢆꢆ

Qfn 5x5 ꢅꢅ ꢆuꢄꢊacꢃ ꢅꢁuꢈt ꢀackagꢃ.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd =+15V, Vgg2 = +9.5V, Idd = 500 mA ^[1]

paꢄaꢅꢃtꢃꢄ

fꢄꢃquꢃꢈcy raꢈgꢃ

mꢇꢈ.

Tyꢀ.

0.1 - 4

max.

mꢇꢈ.

Tyꢀ.

4 - 16

max.

mꢇꢈ.

Tyꢀ.

16 - 20

ꢅax

Uꢈꢇtꢆ

GHz

Gaꢇꢈ

Gaꢇꢈ fꢉatꢈꢃꢆꢆ

0.3

0.5

0.012

0.5

Gaꢇꢈ Vaꢄꢇatꢇꢁꢈ ovꢃꢄ Tꢃꢅꢀꢃꢄatuꢄꢃ

iꢈꢀut rꢃtuꢄꢈ lꢁꢆꢆ

0.006

0.017

dB/ °C

outꢀut rꢃtuꢄꢈ lꢁꢆꢆ

outꢀut pꢁꢂꢃꢄ ꢊꢁꢄ 1 dB Cꢁꢅꢀꢄꢃꢆꢆꢇꢁꢈ (p1dB)

satuꢄatꢃd outꢀut pꢁꢂꢃꢄ (pꢆat)

dBꢅ

[2]

dBꢅ

outꢀut Thꢇꢄd oꢄdꢃꢄ iꢈtꢃꢄcꢃꢀt (ip3)

nꢁꢇꢆꢃ fꢇguꢄꢃ

4.5

Tꢁtaꢉ suꢀꢀꢉy Cuꢄꢄꢃꢈt

500

ꢅA

[1] Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd = 500 mA typical.

[2] mꢃaꢆuꢄꢃꢅꢃꢈt takꢃꢈ at pꢁut / tꢁꢈꢃ = +14 dBꢅ.

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC999	HITTITE	获取价格	GaN MMIC 10 WATT POWER AMPLIFIER
HMC999_12	HITTITE	获取价格	GaN MMIC 10 WATT POWER AMPLIFIER
HMCA-112-G	ADAM-TECH	获取价格	CARD EDGE CONNECTORS .100 X .200 [2.54 X 5.08] CENTERLINE
HMCA-132-G	ADAM-TECH	获取价格	Card Edge Connector, 132 Contact(s), 2 Row(s), Straight, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal,
HMCAA112G	ADAM-TECH	获取价格	HIGH DENSITY CARD EDGE .050 [1.27] VESA MICRO CHANNEL ARCHITECTURE (MCA)
HMCAA120G	ADAM-TECH	获取价格	HIGH DENSITY CARD EDGE .050 [1.27] VESA MICRO CHANNEL ARCHITECTURE (MCA)
HMCAA132G	ADAM-TECH	获取价格	HIGH DENSITY CARD EDGE .050 [1.27] VESA MICRO CHANNEL ARCHITECTURE (MCA)
HMCAA182G	ADAM-TECH	获取价格	HIGH DENSITY CARD EDGE .050 [1.27] VESA MICRO CHANNEL ARCHITECTURE (MCA)
HMCA-A-182-G	ADAM-TECH	获取价格	VESA Micro-Channel
HMCAA184G	ADAM-TECH	获取价格	HIGH DENSITY CARD EDGE .050 [1.27] VESA MICRO CHANNEL ARCHITECTURE (MCA)

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