HMC998

更新时间： 2024-11-21 07:18:07

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
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描述
GaAs pHEMT MMIC

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HMC998 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.B.2.C	风险等级：	8.63
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	10.5 dB
最大输入功率 (CW)：	27 dBm	JESD-609代码：	e4
最大工作频率：	22000 MHz	最小工作频率：	100 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	端子面层：	Gold (Au)
最大电压驻波比：	7	Base Number Matches：	1

HMC998 数据手册

HMC998

v01.0811

GaAs pHEMT MMIC

2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 22 GHz

Features

Typical Applications

Tꢁꢅ hmC998 ꢀꢈ ꢀdꢅaꢊ ꢋꢃꢆ:

• Test Instrumentation

• Microwave Radio & VSAT

• Military & Space

hꢀgꢁ p1dB outꢂut pꢃꢄꢅꢆ: +31 dBꢇ

hꢀgꢁ pꢈat outꢂut pꢃꢄꢅꢆ: +33 dBꢇ

hꢀgꢁ Gaꢀꢉ: 12 dB

hꢀgꢁ outꢂut ip3: +41 dBꢇ

• Telecom Infrastructure

• Fiber Optics

suꢂꢂꢊy Vꢃꢊtagꢅ: Vdd = +10V tꢃ +15V @ 500 ꢇA

50 oꢁꢇ matcꢁꢅd iꢉꢂut/outꢂut

Dꢀꢅ sꢀzꢅ: 2.99 x 1.84 x 0.1 ꢇꢇ

Functional Diagram

General Description

Tꢁꢅ hmC998 ꢀꢈ a GaAs MMIC PHEMT Distributed

Power Ampliﬁer die which operates between DC

aꢉd 22 Ghz. Tꢁꢅ aꢇꢂꢊꢀﬁꢅꢆ ꢂꢆꢃvꢀdꢅꢈ 12 dB ꢃꢋ gaꢀꢉ,

+41 dBꢇ ꢃutꢂut ip3 aꢉd +31 dBꢇ ꢃꢋ ꢃutꢂut ꢂꢃꢄꢅꢆ at

1 dB gaꢀꢉ cꢃꢇꢂꢆꢅꢈꢈꢀꢃꢉ ꢄꢁꢀꢊꢅ ꢆꢅquꢀꢆꢀꢉg 500 ꢇA ꢋꢆꢃꢇ

a +15V supply. This versatile PA exhibits a positive

gaꢀꢉ ꢈꢊꢃꢂꢅ ꢋꢆꢃꢇ 1 tꢃ 18 Ghz ꢇakꢀꢉg ꢀt ꢀdꢅaꢊ ꢋꢃꢆ ew,

eCm, radaꢆ aꢉd tꢅꢈt ꢅquꢀꢂꢇꢅꢉt aꢂꢂꢊꢀcatꢀꢃꢉꢈ. Tꢁꢅ

hmC998 aꢇꢂꢊꢀﬁꢅꢆ i/oꢈ aꢆꢅ ꢀꢉtꢅꢆꢉaꢊꢊy ꢇatcꢁꢅd tꢃ

50 oꢁꢇꢈ ꢋacꢀꢊꢀtatꢀꢉg ꢀꢉtꢅgꢆatꢀꢃꢉ ꢀꢉtꢃ ꢇutꢊꢀ-cꢁꢀꢂ-

ꢇꢃduꢊꢅꢈ (mCmꢈ). Aꢊꢊ data ꢀꢈ takꢅꢉ ꢄꢀtꢁ tꢁꢅ cꢁꢀꢂ

connected via two 0.025mm (1 mil) wire bonds of

ꢇꢀꢉꢀꢇaꢊ ꢊꢅꢉgtꢁ 0.31 ꢇꢇ (12 ꢇꢀꢊꢈ).

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd = +15V, Vgg2 = +9.5V, Idd = 500 mA*

paꢆaꢇꢅtꢅꢆ

fꢆꢅquꢅꢉcy raꢉgꢅ

mꢀꢉ.

Tyꢂ.

0.1 - 2

11.5

0.1

max.

mꢀꢉ.

Tyꢂ.

2 - 18

12.5

0.7

max.

mꢀꢉ.

Tyꢂ.

18 - 22

12.5

0.6

max.

Uꢉꢀtꢈ

Ghz

Gaꢀꢉ

9.5

10.5

Gaꢀꢉ fꢊatꢉꢅꢈꢈ

Gaꢀꢉ Vaꢆꢀatꢀꢃꢉ ovꢅꢆ Tꢅꢇꢂꢅꢆatuꢆꢅ

iꢉꢂut rꢅtuꢆꢉ lꢃꢈꢈ

0.006

-20

-7

0.11

-20

0.016

-15

dB/ °C

outꢂut rꢅtuꢆꢉ lꢃꢈꢈ

-20

outꢂut pꢃꢄꢅꢆ ꢋꢃꢆ 1 dB Cꢃꢇꢂꢆꢅꢈꢈꢀꢃꢉ (p1dB)

satuꢆatꢅd outꢂut pꢃꢄꢅꢆ (pꢈat)

outꢂut Tꢁꢀꢆd oꢆdꢅꢆ iꢉtꢅꢆcꢅꢂt (ip3)

nꢃꢀꢈꢅ fꢀguꢆꢅ

31.5

33.5

dBꢇ

suꢂꢂꢊy Cuꢆꢆꢅꢉt

(idd) (Vdd= 15V, Vgg1= -0.7V Tyꢂ.)

500

ꢇA

* Adjust Vgg1 between -2 to 0V to achieve Idd = 500mA typical.

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC998_1108	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 0.1 - 22 GHz
HMC998_12	HITTITE	获取价格	GaAs pHEMT MMIC
HMC998A-Die	ADI	获取价格	GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器，0.1 - 22 GHz
HMC998APM5E	ADI	获取价格	HMC998APM5E
HMC998LP5E	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 100MHz Min, 20000MHz Max, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLAS
HMC998LP5ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 100MHz Min, 20000MHz Max, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, LEAD
HMC999	HITTITE	获取价格	GaN MMIC 10 WATT POWER AMPLIFIER
HMC999_12	HITTITE	获取价格	GaN MMIC 10 WATT POWER AMPLIFIER
HMCA-112-G	ADAM-TECH	获取价格	CARD EDGE CONNECTORS .100 X .200 [2.54 X 5.08] CENTERLINE
HMCA-132-G	ADAM-TECH	获取价格	Card Edge Connector, 132 Contact(s), 2 Row(s), Straight, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal,

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