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HMC797LP5E

更新时间: 2024-02-11 08:36:11
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
10页 570K
描述
GaAs pHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 22 GHz

HMC797LP5E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.71Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:11 dB最大输入功率 (CW):23 dBm
JESD-609代码:e3安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:32
最大工作频率:22000 MHz最小工作频率:
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC32,.2SQ,20
电源:10 V射频/微波设备类型:WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers最大压摆率:440 mA
表面贴装:YES技术:GAAS
端子面层:Matte Tin (Sn)最大电压驻波比:7
Base Number Matches:1

HMC797LP5E 数据手册

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HMC797LP5E  
v02.0811  
GaAs pHEMT MMIC  
1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 22 GHz  
Typical Applications  
Features  
Thꢀ HmC797lp5e ꢁꢂ ꢁdꢀaꢈ ꢊꢅꢄ:  
• Test Instrumentation  
• Microwave Radio & VSAT  
• Military & Space  
Hꢁgh p1dB outꢃut pꢅꢆꢀꢄ: 28 dBꢇ  
Hꢁgh pꢂat outꢃut pꢅꢆꢀꢄ: 29.5 dBꢇ  
Hꢁgh Gaꢁꢉ: 13.5 dB  
Hꢁgh outꢃut ip3: 39 dBꢇ  
• Telecom Infrastructure  
• Fiber Optics  
suꢃꢃꢈy Vꢅꢈtagꢀ: +10 V @ 400 ꢇA  
50 ohꢇ matchꢀd iꢉꢃut/outꢃut  
32 lꢀad 5x5 ꢇꢇ smT packagꢀ: 25 ꢇꢇ²  
9
Functional Diagram  
General Description  
Thꢀ HmC797lp5e ꢁꢂ a GaAꢂ mmiC ꢃHemT Dꢁꢂtꢄꢁb-  
utꢀd pꢅꢆꢀꢄ Aꢇꢃꢈꢁfiꢀꢄ ꢆhꢁch ꢅꢃꢀꢄatꢀꢂ bꢀtꢆꢀꢀꢉ DC  
aꢉd 22 GHz. Thꢀ aꢇꢃꢈꢁfiꢀꢄ ꢃꢄꢅvꢁdꢀꢂ 13.5 dB ꢅꢊ gaꢁꢉ,  
39 dBꢇ ꢅutꢃut ip3 aꢉd +28 dBꢇ ꢅꢊ ꢅutꢃut ꢃꢅꢆꢀꢄ at  
1 dB gaꢁꢉ cꢅꢇꢃꢄꢀꢂꢂꢁꢅꢉ ꢆhꢁꢈꢀ ꢄꢀquꢁꢄꢁꢉg 400 ꢇA ꢊꢄꢅꢇ  
a +10 V ꢂuꢃꢃꢈy. Thꢁꢂ vꢀꢄꢂatꢁꢈꢀ pA ꢀxhꢁbꢁtꢂ a ꢃꢅꢂꢁtꢁvꢀ  
gaꢁꢉ ꢂꢈꢅꢃꢀ ꢊꢄꢅꢇ 4 tꢅ 20 GHz ꢇakꢁꢉg ꢁt ꢁdꢀaꢈ ꢊꢅꢄ ew,  
eCm, radaꢄ aꢉd tꢀꢂt ꢀquꢁꢃꢇꢀꢉt aꢃꢃꢈꢁcatꢁꢅꢉꢂ. Thꢀ  
HmC797lp5e aꢇꢃꢈꢁfiꢀꢄ i/oꢂ aꢄꢀ ꢁꢉtꢀꢄꢉaꢈꢈy ꢇatchꢀd  
tꢅ 50 ohꢇꢂ ꢊacꢁꢈꢁtatꢁꢉg ꢁꢉtꢀgꢄatꢁꢅꢉ ꢁꢉtꢅ ꢇutꢈꢁ-chꢁꢃ-  
ꢇꢅduꢈꢀꢂ (mCmꢂ), ꢁꢂ ꢃackagꢀd ꢁꢉ a ꢈꢀadꢈꢀꢂꢂ Qfn 5x5  
ꢇꢇ ꢂuꢄꢊacꢀ ꢇꢅuꢉt ꢃackagꢀ, aꢉd ꢄꢀquꢁꢄꢀꢂ ꢉꢅ ꢀxtꢀꢄꢉaꢈ  
ꢇatchꢁꢉg cꢅꢇꢃꢅꢉꢀꢉtꢂ.  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd = +10 V, Vgg2 = +3.5 V, Idd = 400 mA*  
paꢄaꢇꢀtꢀꢄ  
fꢄꢀquꢀꢉcy raꢉgꢀ  
mꢁꢉ.  
Tyꢃ.  
DC - 12  
12.5  
0.7  
max.  
mꢁꢉ.  
Tyꢃ.  
12 - 18  
13.5  
0.5  
max.  
mꢁꢉ.  
Tyꢃ.  
18 - 22  
13.5  
0.5  
max.  
Uꢉꢁtꢂ  
GHz  
dB  
Gaꢁꢉ  
11  
11  
11  
Gaꢁꢉ fꢈatꢉꢀꢂꢂ  
dB  
Gaꢁꢉ Vaꢄꢁatꢁꢅꢉ ovꢀꢄ Tꢀꢇꢃꢀꢄatuꢄꢀ  
iꢉꢃut rꢀtuꢄꢉ lꢅꢂꢂ  
0.012  
13  
0.008  
15  
0.008  
15  
dB/ °C  
dB  
outꢃut rꢀtuꢄꢉ lꢅꢂꢂ  
12  
16  
13  
dB  
outꢃut pꢅꢆꢀꢄ ꢊꢅꢄ 1 dB Cꢅꢇꢃꢄꢀꢂꢂꢁꢅꢉ (p1dB)  
satuꢄatꢀd outꢃut pꢅꢆꢀꢄ (pꢂat)  
outꢃut Thꢁꢄd oꢄdꢀꢄ iꢉtꢀꢄcꢀꢃt (ip3)  
nꢅꢁꢂꢀ fꢁguꢄꢀ  
26  
28  
25  
27  
23.5  
25.5  
27  
dBꢇ  
dBꢇ  
dBꢇ  
dB  
29.5  
39  
29  
37  
35  
3.5  
4
6
suꢃꢃꢈy Cuꢄꢄꢀꢉt  
(idd) (Vdd= 10V, Vgg1= -0.8V Tyꢃ.)  
400  
440  
400  
440  
400  
440  
ꢇA  
* Adjust Vgg1 between -2 to 0 V to achieve Idd = 400 mA typical.  
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824  
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com  
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com  
9 - 1  

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