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HMC753LP4E

更新时间： 2024-02-20 10:59:24

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
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6页	251K
描述
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 1 - 11 GHz

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HMC753LP4E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC24,.16SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	LOW NOISE
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	10 dB	最大输入功率 (CW)：	12 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	24
最大工作频率：	11000 MHz	最小工作频率：	1000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC24,.16SQ,20
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

HMC753LP4E 数据手册

HMC753LP4E

v01.0609

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, 1 - 11 GHz

Typical Applications

This HMC753LP4E is ideal for:

Features

Noise Figure: 1.5 dB @ 4 GHz

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• Military & Space

Gain: 17 dB

P1dB Output Power: +18 dBm

Supply Voltage: +5V @ 55 mA

Output IP3: +30 dBm

• Test Instrumentation

50 Ohm matched Input/Output

24 Lead Plastic 4x4mm SMT Package: 16mm

General Description

Functional Diagram

The HMC753LP4E is a GaAs MMIC Low Noise

Wideband Ampliﬁer housed in a leadless 4x4 mm

plastic surface mount package. The ampliﬁer oper-

ates between 1 and 11 GHz, providing up to 16.5 dB

of small signal gain, 1.5 dB noise ﬁgure, and output

IP3 of +30 dBm, while requiring only 55 mA from a

+5V supply. The P1dB output power of up to +18

dBm enables the LNA to function as a LO driver for

balanced, I/Q or image reject mixers. The HMC-

753LP4E also features I/Os that are DC blocked and

internally matched to 50 Ohms, making it ideal for

high capacity microwave radios or VSAT applications.

This versatile LNA is also available in die form as the

HMC-ALH444.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd= +5V, Idd = 55 mA^[2]

Parameter

Min.

Typ.

1 - 6

16.5

0.004

1.5

Max.

Min.

Typ.

6 - 11

Max.

2.7

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Gain Variation over Temperature

Noise Figure

0.008

dB / °C

Input Return Loss

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

dBm

Supply Current (Idd)

(Vdd = 5V, set Vgg2 = 1.5V, Vgg1 = -0.8V Typ.)

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

8 - 366

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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