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HMC740ST89ETR

更新时间： 2024-09-15 19:06:15

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频微波
页数	文件大小	规格书
8页	863K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, BIPolar,

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HMC740ST89ETR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-243	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TO-243
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	Base Number Matches：	1

HMC740ST89ETR 数据手册

HMC740ST89E

v02.0813

InGaP HBT ACTIVE BIAS

MMIC AMPLIFIER, 0.05 – 3 GHz

Typical Applications

The HMC740ST89E is ideal for:

Features

P1dB Output Power: +18 dBm

• Cellular/3G & WiMAX/4G

• Fixed Wireless & WLAN

Gain: 15 dB

Output IP3: +40 dBm

• CATV, Cable Modem & DBS

• Microwave Radio & Test Equipment

• IF & RF Applications

Cascadable 50 Ohm I/Os

Single Supply: +5V

Industry Standard SOT89 Package

Robust 1000V ESD, Class 1C

Stable Current Over Temperature

Active Bias Network

Functional Diagram

General Description

The HMC740ST89E is an InGaP Heterojunction

Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC SMT

ampliﬁer covering 0.05 to 3 GHz. Packaged in an

industry standard SOT89, the ampliﬁer can be used

as a cascadable 50 Ohm RF or IF gain stage as

well as a PA or LO driver with up to +18 dBm output

power. The HMC740ST89E offers 15 dB of gain with

a +40 dBm output IP3 at 100 MHz, and can operate

directly from a +5V supply. The HMC740ST89E

exhibits excellent gain and output power stability over

temperature, while requiring a minimal number of

external bias components.

Electrical Speciﬁcations, Vcc = 5V, T_A= +25° C

Parameter

Min.

Typ.

0.05 - 1

Max.

Min.

Typ.

0.05 - 3

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Gain Flatness

0.1

0.7

Gain Variation over Temperature

Input Return Loss

0.003

0.006

0.003

0.006

dB/ °C

Output Return Loss

Reverse Isolation

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

15.5

14.5

dBm

Output Third Order Intercept (IP3)

(Pout= 0 dBm per tone, 1 MHz spacing)

dBm

Noise Figure

3.5

Supply Current (Icq)

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

8 - 1

12 3 4 5 6 7 8

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HMC740ST89ETR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC740ST89E	HITTITE	完全替代	InGaP HBT ACTIVE BIAS MMIC AMPLIFIER, 0.05 - 3 GHz

与HMC740ST89ETR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC741	ADI	获取价格	InGaP HBT有源偏置MMIC放大器，0.05 - 3 GHz
HMC741ST89_09	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ACTIVE BIAS MMIC AMPLIFIER, 0.05 - 3 GHz
HMC741ST89E	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ACTIVE BIAS MMIC AMPLIFIER, 0.05 - 3 GHz
HMC741ST89E	ADI	获取价格	InGaP HBT Active Bias MMIC Amplifier, 0.05 - 3 GHz
HMC741ST89E_10	HITTITE	获取价格	InGaP HBT ACTIVE BIAS MMIC AMPLIFIER, 0.05 â
HMC741ST89ERTR	ADI	获取价格	HMC741ST89ERTR
HMC741ST89ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier,
HMC741ST89ETR	ADI	获取价格	InGaP HBT Active Bias MMIC Amplifier, 0.05 - 3 GHz
HMC742A	ADI	获取价格	0.5?dB?LSB?GaAs?MMIC?6位数字可变增益放大器，采用SMT封装，0.0
HMC742ALP5E	HITTITE	获取价格	Telecom Circuit, 1-Func, PQCC32, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-32

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